【{$randkws}】三星讨论1PB固态硬盘：可能在10年内到来 要靠封装技术创新才能实现 – 蓝点网 - {$web_name} 但三星在 QLC 闪存上相当谨慎

这个月 CMFS2023（中国闪存行业峰会）在深圳举行，三星、长江存储、美光、Arm、铠侠、刚刚2025华为Mate，登上热搜榜英特尔、紫光展锐、Solidigm 等行业企业参与该峰会。

当下全球闪存处理器出货量和营收最高的都是三星，但三星在 QLC 闪存上相当谨慎，既然如此那 PLC、HLC、解读KPL专题OLC 闪存岂不是还要等待很久？

就当前来看三星距离启动新的闪存还很遥远，可是三星觉得 1PB 的固态硬盘，或许会在前方 10 年的某个时候到来，这需要层叠技术升级和封装技术革新。

三星预计还会持续增多 3D NAND 的物理缩放和逻辑缩放，物理缩放指的留学趋势最新进展登上热搜榜是缩减闪存单元体积，让 NAND 单元体积压缩后可以堆叠更多 NAND 层数；逻辑缩放指的是增多每个 NAND 单元存储的位数。

三星盼望更先进的 3D NAND IC 封装技术，该企业觉得物理缩放、逻辑缩放和封装革新将在前方 10 年内将固态硬盘容量提升到 1PB，即 1024TB 或 1048576GB。

在闪存处理器技术和工艺方面三星相对来说较为谨慎，深夜本周固态硬盘，太真实了2017 年三星就启动 3D TLC 的 30.72TB 固态硬盘，到 2019 年展示 64TB 固态硬盘，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型，可是没有量产。

三星如此保守的对待 3D QLC NAND 首要是三星期盼对闪存控制器开展技术革新，从而将 3D QLC NAND 引入主流行业，换言之，三星似乎还觉得 3D QLC NAND 搭配的控制器还不足以进入大范围使用。

但三星也承认指望靠物理缩放 NAND 体积增多堆叠层数到 1000 层也不能高效增多密度，所以最后要做到的还是逻辑缩放，即每个 NAND 单元增多更多的位数。

铠侠 (原东芝存储) 对 NAND 逻辑缩放更热情，早在 2019 年铠侠就着手研究每个 NAND 单元存储 5 位 bpc 的 PLC NAND，之后铠侠工程师还演示了存储 6 位 bpc 的 3D HLC NAND，铠侠觉得 8bpc OLC NAND 存储器都是或许的。

以便让每个 NAND 存储 6 位 bpc，NAND 单元必须维持 64 个电平，而 8bpc OLC 3D NAND 则需要维持 256 个电平状态，所以每增多一位 bpc 都会给制造商带来巨大的艰难。

艰难在哪里呢？材料。

制造商必须找到可以存储 64 或 256 个电压状态的材料，还要确保每个电压状态不会相互干扰；

其次是这种材料必须量大管饱，所以必须轻松合成才能满足使用需要；

第三制造商还必须能够治理这类维持众多电压状态的 3D NAND 温度，随着每个 NAND 位数的增多，想要将温度维持在一个合理的范围也很艰难；

最后：还必须开发更可靠的闪存控制器，控制器还需要使用更繁琐的 ECC 算力，计算量暴增也会导致需求的算力增多，所以控制器成本会大幅度提升，制造商还需要解决成本难题。

可是随着技术的进展这些难题最后都是会被解决的，只可是人类需要花费更长时间解决难题，所以消费者唯一能做的就是：等。